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Fairchild是设计和生产光电器件的公司。 我们提供用于低带宽/通用开关应用的光电耦合器、用于高带宽/高增益应用的高性能光电耦合器、高压光电耦合器、红外元器件以及具有*功能的其他定制产物。

我们广泛的光电器件和光耦合器器件系列提供了多种输入和输出配置，可以降低功耗并为您的设计提供的抗噪能力。

为什么选择飞兆的光电器件

凭借贵补颈谤肠丑颈濒诲专有的共面封装技术翱辫迟辞辫濒补苍补谤?，我们的高性能光耦合器可提供的抗噪能力。

凭借高速的速度传输速率，这些高电耦合器特别适合&苍产蝉辫;

高速数据通信应用。

我们所有的光电产物均不含铅(笔产)，并且符合搁辞贬厂标准。

此外，我们的产物还通过了主要安全监管机构的认证。

采用3.3痴和5痴的电源电压。

带宽能力锄耻颈高可达15惭产颈迟/蝉。

达到或超过安全监管标准。

高隔离电压，锄耻颈高可达5办痴。

应用指南 AN-3001

光耦合器输入驱动电路

光耦合器由一个光源和一个光敏检测器组成。在光耦合器或光子耦合对中，耦合依靠一个透明绝缘间隙一侧产生、另一侧检测到的光实现，两侧之间不存在电气连接（少量耦合电容除外）。

在飞兆半导体光耦合器中，光是由红外发光二极管产生的，光检测器是一个驱动放大器 （如晶体管）的硅二极管。硅材料的灵敏度在 LED发射的波长处达到zui大值，提供zui大信号耦合。由于光耦合器的输入是一个 LED，其输入特性都相同，与所采用的检测器类型无关。

图 1 显示 LED 二极管的特性。

正向偏置电流阀值出现在约 1 伏特处，电流成指数增加， IF 的可用范围介于 1 mA 与 100 mA 之间，对应 VF 的范围介于 1.2 与 1.3 伏特之间。正向偏置电阻的动态值与电流相关，如图中定义的 RDF 和 DR 插图所示。在雪崩击穿前，反向漏电流处于毫微安范围内。

图 2 显示 LED 等效电路以及各组件的典型值。

若需要电脑制模，可参考提供的二极管方程式，此外还提供了R LED 的方程式常数。注意，结电容非常大，并随应用的正向电压的增大而增大。图 3 绘制出该电容随应用电压的实际变化图。该大电容被驱动电阻控制，从而影响 LED 的脉冲响应。在结电流导致发光前，必须对电容进行充电。这种效应会在快速脉冲条件下，在应用电流和发光之间产生 10-20 毫微秒或更长的固有延迟。LED 适用于正向偏置模式。由于电流在超过阀值后增速非常快，器件应始终在电流模式 （而非电压模式）下驱动。实现电流驱动zui简单的方式是提供一个串联限流电阻。

这样，VAPP 和 VF 之间的差值在目标IF 下通过电阻降低 （根据其它标准确定）。硅二极管与LED 反向并联安装。该二极管用于防止 LED 反向击穿，这是实现这种保护功能zui简单的方法。在反向雪崩区域，必须防止 LED 过量耗散功率。少量反向电流不会伤害 LED，但是必须防止意外的浪涌电流。LED 的正向电压有一个负温度系数 1.05 mV/°C。

IR LED 的亮度作为正向电流 (IF) 和时间的函数以指数形式缓慢降低。图 6 是根据 20,000 小时的实验数据绘制的光衰图。 50% 的衰减量被认为是失效点。必须在光隔离器电路设计之初考虑衰减量，从而在设备的整个设计周期内允许降低，但仍符合电流传输比 (CTR) 的设计规格。此外，还显示 IF 的驱动限制，用于延长器件的使用在某些情况下，需要为 LED 采用一个高于二极管 VF1.1 V 标准电压的固定阀值。通过采用一个电阻对 LED进行分流可实现这种阀值调整，电阻值由应用电压、串联电阻和所需阀值之间的比例决定。图 7 电路显示这些值之间的关系。计算将决定特定 IFT 和 VA 所需的电阻值。将多个 LED 串联起来共享同一个 IF 也很合适。串联 VF 为各个 VF 的和。串联中还可以使用齐纳二极管。由于输入应用电压是可逆或可交替的，且需要检测输入的相位或极性，可采用双极输入电路。

各个光耦合器可以控制不同功能，或进行并联，从而不受极性影响。注意，在此连接中，各个 LED 在反向偏置中保护彼此。