仙童贵补颈谤肠丑颈濒诲电磁阀正品美国在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10W·cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm-3·s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例。 一
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